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此前有消息表明，三星可能会在今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，将会针对4nm工艺做出全方位改进，性能、功耗方面均有不小提升。最新消息显示，三星4nm芯片制程良率已经改善，达到了接近5nm的水准，而下一代4nm制程工艺将提供更高的良率。

去年年中，三星宣布全球首发3nm制程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA制造工艺也尚在研发中，下一代工艺将使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并减少35%的面积。三星电子表示，其GAA晶体管芯片将会应用于高性能、低功耗的计算领域，并计划拓展到移动处理器。

三星电子的3nm芯片采用GAA架构通过降低电源电压和增强驱动电流的能力来有效提升功率。此外，三星还在高性能智能手机处理器的半导体芯片中也应用过纳米片晶体管，与纳米线技术相比，前者拥有更宽的通道，以及具备更高的性能和效率。三星的客户可通过调整纳米片的宽度，来定制自己需要的功耗和性能指标。

虽然目前3nm工艺是世界上最先进的半导体工艺，包括台积电也在冲击3nm工艺，但4nm和5nm仍为时下主流工艺。在5nm时代，采用三星5nm工艺制程打造的骁龙8早早地就翻了车，迫使高通不得不将之后的订单悉数交给台积电，而由台积电代工的骁龙8+在性能功耗等各个方面都远超三星5nm工艺的骁龙8，这主要是因为三星的5nm工艺对比台积电的5nm工艺在晶体管密度这块就相差了35%。

尤其是在去年，三星首次推出4nm制程工艺，但由于初期良率不高，业内人士估计，三星当时4nm工艺的良品可达到60%，台积电却高达70%-80%。这也导致部分用户转投台积电，其中就包括高通。如今三星在4nm工艺制程方面取得明显进步，不管是良品率还是产能都有不小提升，甚至三星还在社交媒体宣布，其4nm工艺的良率接近5nm工艺水平，同时有希望进一步提升。

随着三星4nm工艺进步，三星也重新获得客户青睐，其中就包括谷歌和AMD，尤其是谷歌委托三星电子生产将搭载在Pixel 8系列上的Tensor 3芯片。目前三星在4nm工艺制程方面已经重新追赶上台积电，靠着3nm技术的先发优势，或许在之后能够再次迸发出惊人的生命力，为半导体行业带来一场变革。